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本发明公开了一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺，包括液态源装置、载气装置、旁路、生长室以及真空系统。所述液态源装置包括四个源瓶：硅源、碳源、N型杂质源和P型杂质源，它们分别安装在独立的恒温槽里，并且整体安装...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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