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说明一种具有活性的陶瓷层（2）的陶瓷变换元件（1），所述陶瓷层（2）适于将第一波长范围的辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射。此外，陶瓷变换元件（1）包括载体层（3），其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范围的辐射来说是可透过...该专利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司授权不得商用。
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说明一种具有活性的陶瓷层（2）的陶瓷变换元件（1），所述陶瓷层（2）适于将第一波长范围的辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射。此外，陶瓷变换元件（1）包括载体层（3），其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范围的辐射来说是可透过...