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本发明公开了一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法，该方法是采用高斯分布或近似高斯分布的激光束进行激光熔覆，采用负离焦方式，激光束焦平面位于工件表面下方；利用高斯分布或近似高斯分布的激光束在传播路径上光束截面能量密度分布的特点，采用负离焦方式进...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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