温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了用于形成相对于常规器件具有减小的寄生接触电阻的晶体管器件的技术。这些技术例如可利用标准接触叠层（诸如硅或硅锗（SiGe）源/漏区上的一系列金属）来实现。根据这样的实施例的一个示例，在源/漏和接触金属之间设置中间硼掺杂锗层以显著减小接触...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。