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本实施例是一种FinFET器件。FinFET器件包括鳍、第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域和沟道区域。鳍凸起在衬底上方。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域位于鳍中。沟道区域横向地位于第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。沟道区...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本实施例是一种FinFET器件。FinFET器件包括鳍、第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域和沟道区域。鳍凸起在衬底上方。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域位于鳍中。沟道区域横向地位于第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。沟道区...