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本发明涉及非易失性半导体存储器的UV编程系统和方法，半导体存储器存储器件包括设置在半导体衬底中的第一掺杂类型的第一和第二掺杂区域。第一类型的第一和第二掺杂区域彼此横向隔开。栅极电介质在第一和第二掺杂区域之间的半导体衬底的上方延伸，并且浮栅设...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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