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本发明公开了一种具有寻址及相邻位的存储单元的集成电路及该存储单元的操作方法。一非易失存储单元的储存层，例如是氮化硅，其具有两个储存部分分别储存可寻址的数据，通常分别是邻近源极终端与漏极终端。当感测储存于储存部分的其中之一的数据时，所施加的漏...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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