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一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高输出功率,同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法,可有效提高输出功率,提升半导体激...
该专利属于长春理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过长春理工大学授权不得商用。

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