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提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件。该FinFET器件包括超晶格层和应变层。该超晶格层由衬底支撑。该应变层设置在超晶格层上，并且提供了栅极沟道。栅极沟道由超晶格层产生应力。在实施例中，通过堆叠不同的硅锗合金或者堆叠其他的III-...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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