下载具有无结垂直栅晶体管的半导体器件及其制造方法的技术资料

文档序号:9172250

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一种无结垂直栅晶体管,包括:有源柱体,所述有源柱体从衬底垂直地突出,并包括第一杂质区、在所述第一杂质区之上顺序地形成的第二杂质区和第三杂质区;栅电极,所述栅电极耦合到所述第二杂质区的侧壁;以及位线,所述位线沿着与所述栅电极相交的方向排列,且...
该专利属于爱思开海力士有限公司;韩国科学技术院所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司;韩国科学技术院授权不得商用。

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