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本发明公开了一种器件，该器件包括多个STI区、位于多个STI区之间且相互平行的多个半导体条以及位于半导体条上方的多个半导体鳍状件。栅堆叠件设置在多个半导体鳍状件的上方并横穿多个半导体鳍状件。漏极外延半导体区设置在栅堆叠件的一侧并与多个半导体...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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