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高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法技术
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下载高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法的技术资料
文档序号:9172107
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一种高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底上生长锗层;步骤2:将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中,进行第一次退火;步骤3:在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层,形成样品;步骤4:将样品...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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