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本发明提供在半导体衬底中形成的集成电路。集成电路包括：具有第一单元尺寸的第一静态随机存取存储器(SRAM)单元；以及具有大于第一单元尺寸的第二单元尺寸的第二SRAM单元。第一SRMA单元包括第一n型场效应晶体管(nFET)，每一个都具有第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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