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描述了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括具有鳍片的衬底，该鳍片具有顶面以及第一横向侧壁和第二横向侧壁。硬掩模层可以形成在鳍片的顶面上(例如，提供双栅极器件)。栅极介电层和功函数金属层形成在鳍片的第一横向侧壁和第二横向侧壁上。硅化物...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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