下载FinFET及其制造方法的技术资料

文档序号:9144562

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本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括:包含有主表面的衬底;具有第一宽度并且从衬底的主表面向下延伸至第一高度的多个第一沟槽,其中邻近的第一沟槽之间的第一间隔限定出第一鳍片;以及具有小于第一宽度的第二宽度...
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