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本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括一第一导电型的衬底、一形成于衬底中的第二导电型的阱区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一场氧化物、一第一介电层以及一第二介电层。第一掺杂区与一第二掺杂区形成于阱区中。场氧化物形成于阱区的表...
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