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本发明提供一种半导体集成电路装置的制造方法。在SOI基板上具有SOI器件区域及大容量器件区域的混合型SOI半导体集成电路装置中，一般在形成STI绝缘膜后，在应成为大容量器件区域的区域中去除SOI层及BOX层。但是，在该工艺中，在大容量器件区...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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