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本发明涉及一种SET/MOS混合电路构成的选通逻辑电路，包括一PMOS管、一NMOS管和一单电子晶体管，所述PMOS管的源极连接电源Vdd，栅极连接一基准电压Vpg，漏极作为所述选通逻辑电路的输出端并连接所述NMOS管的漏极，所述NMOS管...
该专利属于福州大学所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学授权不得商用。

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