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一种平面或非平面量子阱器件以及形成该量子阱器件的方法。该器件包括：包括大带隙材料的缓冲区；缓冲区上的单轴应变量子阱沟道区；量子阱沟道区上的包括大带隙材料的上阻挡区；量子阱沟道区上的栅极电介质；栅极电介质上的栅极电极；以及在栅极电极的各相应侧...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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