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本发明涉及一种LED发光结构，尤其是一种GaN?LED外延片结构及制备方法。一种GaN?LED外延片结构及制备方法，包括GaN?LED外延片结构层，和采用pGaN六角微米柱层（106）作为p型导电层的表面。与传统的平坦表面的LED相比，使用...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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