一种GaN LED外延片结构及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种LED发光结构，尤其是一种GaN?LED外延片结构及制备方法。一种GaN?LED外延片结构及制备方法，包括GaN?LED外延片结构层，和采用pGaN六角微米柱层（106）作为p型导电层的表面。与传统的平坦表面的LED相比，使用了pGaN六角微米棒技术的LED更高效，由全内反射造成的光损失最小。同时带有pGaN六角微米棒技术的LED性能稳定，电学性能和老化性能同传统平表面LED几乎没有区别。此外，带有pGaN六角微米棒技术的LED与传统平表面LED在制作成本上面也并没有提高。本发明专利技术简单紧凑，工艺简单，耐腐蚀，提高了LED器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种带有pGaN六角微米柱的GaN?LED外延片结构，其特征是：包括GaN?LED外延片结构层，和采用pGaN六角微米柱层（106）作为p型导电层的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王东盛，梁红伟，杜国同，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：