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本发明公开了一种太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法及应用该方法制备n型多晶硅薄膜SPA结构的HIT电池的方法，其中太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法，是采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在通入腔室氢气的情况下，对太阳能电池...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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