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一种碳化硅半导体器件和制造碳化硅半导体器件的方法。碳化硅层（10）的第一区（11）构成第一表面并且具有第一导电类型。第二区（12）设置在第一区（11）上并且具有第二导电类型。第三区（13）设置在第二区（12）上并且具有第一导电类型。第四区（...
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