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本发明公开了一种邻接沟道侧壁的三维存储阵列及其制造方法。存储单元阵列包含一由多个存储单元构成的叠层，该多个存储单元以邻接于在沟道内形成的导线所具有的相对二侧面的方式布置。存储单元的叠层使得各存储单元的存储元件表面成为沟道侧壁的一部分。导线形...
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