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本发明提供了一种半导体结构，包括衬底、栅堆叠、基底区以及源/漏区，其中，所述栅堆叠位于所述基底区之上，所述源/漏区位于所述基底区内，所述基底区位于所述衬底之上；在所述基底区和所述衬底之间存在支撑隔离结构，其中，部分所述支撑隔离结构与所述衬底...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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