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本发明涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种半导体器件，其中未对准不会导致短路并且降低了布线间电容的。多条布线设置在第一层间绝缘层中。气隙形成在第一层间绝缘层中的至少一对布线之间。第二层间绝缘层位于布线和第一层间绝缘层之上。第二层间绝缘层的...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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