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本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在半导体基板中形成有源线；形成大体横过有源线的接触线；形成大体横过有源线和接触线的线形蚀刻掩模图案；蚀刻被线形蚀刻掩模图案暴露的接触线以形成接触分离凹槽并形成大体保留在线形蚀刻掩模图案与有源...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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