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本发明公开了一种衬底拓扑可知的光刻模型化方法，具体公开了用于模拟由入射辐射导致在衬底上的抗蚀剂内形成的图像的方法，所述衬底具有在抗蚀剂层下面的第二特征和第一特征，所述方法包括步骤：在不使用入射辐射和第二特征的相互作用的情况下使用入射辐射和第...
该专利属于ASML荷兰有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASML荷兰有限公司授权不得商用。

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