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描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括形成纳米线器件，该纳米线器件包括：衬底，衬底包括位于间隔物附近的源极/漏极结构；以及位于间隔物之间的纳米线沟道结构，其中纳米线沟道结构在彼此之上垂直地层叠。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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