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本发明涉及去耦电容器及其布局。其中，一种器件，包括具有第一掺杂类型的第一和第二注入区域的半导体衬底。将栅极绝缘层和栅电极提供到在第一和第二注入区域之间的电阻区域的上面。第一介电层在第一注入区域上。提供接触结构，包括与栅电极导电接触的第一接触...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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