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一种半导体器件包括在硅衬底上形成的鳍式场效应晶体管(FinFET)和鳍式电容器。该鳍式电容器包括硅鳍片、位于硅鳍片之间的一个或多个导电体、以及位于硅鳍片和一个或多个导电体之间的绝缘材料。该鳍式电容器还可以包括位于一个或多个导电体和下面的半导...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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