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本发明公开具有埋入式栅极的半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括：第一层间绝缘层，其位于半导体基板的第一区域和第二区域中；第二层间绝缘层，其位于第一区域和第二区域中的所述第一层间绝缘层上方；硬掩模，其设置在所述第二区域中的所述第一层间绝缘...
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