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三维非易失性存储器件制造技术
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文档序号:8981145
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根据本发明的实施例的三维非易失性存储器件,包括:多个位线;至少一个存储串行,所述至少一个存储串行沿着第一方向延伸、与所述位线耦接并且包括2N个存储串,其中N包括自然数;公共源极选择线,所述公共源极选择线被配置来控制包括在存储器块中的2N个存...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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