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本实用新型涉及一种栅堆叠结构和半导体器件。该栅堆叠结构包括，栅介质层，形成于基底内的活性区和连接区上；栅极，形成于所述栅介质层上；以及，侧墙，环绕所述栅介质层和所述栅极；还包括：隔离介质层，所述隔离介质层仅位于所述活性区上，所述侧墙覆盖所述...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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