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本发明提供一种分栅式闪存及其形成方法，其中分栅式闪存的形成方法包括，在刻蚀控制栅层形成控制栅后，在控制栅裸露的侧壁上形成一层钝化层，从而在所述控制栅的侧壁形成侧墙前，将控制栅中的掺有导电离子的多晶硅材料与空气相隔绝，避免所述控制栅中掺杂的导...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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