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本发明涉及一种光刻掩模、光刻设备和方法。光刻掩模具有基底，所述基底对于特定波长的辐射是基本上透射性的，所述基底具有成图案形式的辐射吸收材料，所述图案配置成施加另一图案至所述特定波长的辐射束的横截面，其中所述吸收材料具有基本上等于所述特定波长...
该专利属于ASML荷兰有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASML荷兰有限公司授权不得商用。

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