光刻掩模、光刻设备和方法技术

本发明专利技术涉及一种光刻掩模、光刻设备和方法。光刻掩模具有基底，所述基底对于特定波长的辐射是基本上透射性的，所述基底具有成图案形式的辐射吸收材料，所述图案配置成施加另一图案至所述特定波长的辐射束的横截面，其中所述吸收材料具有基本上等于所述特定波长除以吸收材料的折射率的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻掩模、一种光刻设备和一种器件制造方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的掩模用于生成对应于所述IC的单层的电路图案，可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上所述衬底具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层。通常，单个衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括:所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。已经逐步对光刻设备进行了改进，其已经允许以更小的分辨率将图案投影到衬底上。一种这样的改进涉及在光刻设备的投影系统和衬底之间设置液体。这提供了具有数值孔径(NA)大于1.0 (例如1.35NA)的投影系统。
技术实现思路
当使用高数值孔径(诸如当使用浸没光刻术时)时，用于图案化辐射的掩模可能造本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻掩模，包括基底，所述基底对于特定波长的辐射是基本上透射性的，所述基底具有成图案形式的辐射吸收材料，所述图案配置成施加另一图案至所述特定波长的辐射束的横截面，其中辐射吸收材料的厚度基本上等于所述特定波长除以辐射吸收材料的折射率。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·M·芬德尔斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：