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本发明涉及一种基于PI的液栅型石墨烯场效应管的制备方法和检测方法，其特征在于在硅基底上沉积铝层作为牺牲层；将PI光刻胶旋涂在铝层上作为柔性场效应管的基底；以商品化的石墨烯/聚甲基酸甲酯薄膜转移至预先沉积在PI基底上的钛/金电极，形成良好的欧...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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