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本发明提供了金属硬掩模的制造方法和由这些方法制造的金属硬掩模。方法包括将至少一种金属反应气体流入被配置为进行化学汽相沉积(CVD)的反应室中，其中，至少一种金属反应气体包括，金属卤素气体或金属有机气体。该方法进一步包括，使用至少一种金属反应...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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