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文档序号:8838097
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一种MOSFET(100),包括:碳化硅衬底(1),其包括具有相对于{0001}面不小于50°且不超过65°的偏离角的主表面(1A);缓冲层(2)和漂移层(3),其两者均形成在主表面(1A)上;栅极氧化物膜(91),其形成在漂移层(3)上并...
该专利属于住友电气工业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。
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