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本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：位线，所述位线沿第一方向延伸；垂直栅单元，包括被形成为柱体形状的栅氧化物层和栅金属层；下电极和数据储存材料层，形成在垂直栅单元上；以及互连层，形成在数据储存材料层上。...
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