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本发明涉及一种半导体器件和制造该半导体器件的方法，该半导体器件在互连层中具有晶体管。形成层间绝缘膜。然后在层间绝缘膜中掩埋第一栅电极和第二栅电极。然后，在层间绝缘膜上方、在第一栅电极上方并且在第二栅电极上方形成防扩散膜。然后，在存在于第一栅...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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