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半导体存储装置制造方法及图纸
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文档序号:8835020
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本发明公开了一种半导体存储装置,所述半导体存储装置包括:第一感测放大单元,所述第一感测放大单元包括第一反相器和第二反相器,被配置成驱动至电源驱动信号和接地驱动信号的电压电平并且在位线和取反位线之间形成锁存结构;以及第二感测放大单元,所述第二...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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