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利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管制造技术
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文档序号:8802175
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本发明大体上包含具有半导体材料的薄膜晶体管(TFT),所述半导体材料包含氧、氮及一或多个选自于由锌、锡、镓、镉和铟所构成的群组中的元素以作为有源沟道。该半导体材料可用于底栅TFT、顶栅TFT和其他类型的TFT中。通过蚀刻来图案化TFT可形成...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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