温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种EEPROM存储阵列结构，包括多个存储单元，存储单元包括N阱、漏极、源极、漏极浮栅、漏极控制栅、源极浮栅、源极控制栅和选择栅，N阱底部接阱端；按列方向交替排列的漏极选择线和源极选择线，每个漏极选择线和源极选择线分别将列方向的每...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。