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一种半导体器件包括半导体衬底和覆盖半导体衬底的低K介电层。低K介电层的第一部分包括介电材料，并且低K介电层的第二部分包括气隙，其中，第一部分和第二部分彼此横向设置。还公开了形成低K介电层的一种方法，包括：在半导体衬底上方形成介电层；形成多个...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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