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一种廉价粉末多晶硅基纳米线的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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