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本发明公开了一种方法,所述方法包括对封装结构的焊区进行回流焊,以及在高于室温的清理温度下对所述封装结构实施清理。在所述回流焊步骤与所述清理步骤之间,所述封装结构未被冷却到接近于所述室温的温度。本发明还公开了回流焊和清理集成工艺以及实施该工艺...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种方法,所述方法包括对封装结构的焊区进行回流焊,以及在高于室温的清理温度下对所述封装结构实施清理。在所述回流焊步骤与所述清理步骤之间,所述封装结构未被冷却到接近于所述室温的温度。本发明还公开了回流焊和清理集成工艺以及实施该工艺...