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本实用新型涉及一种防水引线框架,包括芯片部,所述芯片部的边缘处设有凹凸结构,所述凹凸结构的宽度为0.49~0.51毫米,所述凹凸结构的内侧还设有密封槽,所述密封槽的宽度为0.24~0.26毫米。上述防水引线框架,在芯片部的边缘处设有宽度为0...该专利属于深圳深爱半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳深爱半导体股份有限公司授权不得商用。
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本实用新型涉及一种防水引线框架,包括芯片部,所述芯片部的边缘处设有凹凸结构,所述凹凸结构的宽度为0.49~0.51毫米,所述凹凸结构的内侧还设有密封槽,所述密封槽的宽度为0.24~0.26毫米。上述防水引线框架,在芯片部的边缘处设有宽度为0...