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一种功率用半导体装置，具备具有场板电极的沟槽栅构造，能够降低栅极-源极间电容。功率用半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层（2）、场绝缘膜（6）、场板电极（7）、第一绝缘膜（8）、导电体（9）、第二绝缘膜（11）、栅极绝缘膜（10）以及栅...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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